(20231017) 전자신문 - 삼성전자, SiC 전력반도체 사업 키운다

삼성전자 평택캠퍼스 조감도. 출처 : 삼성전자

기사요약

 

삼성전자가 기존 공식 발표한 질화갈륨(GaN)뿐만 아니라 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 사업화를 위해 준비중이다. 삼성전자는 SiC 사업화 외에도 GaN 전력반도체 사업을 위한 본격적인 준비에 착수했다. GaN 전력반도체 생산에 필수적인 유기금속화학증착(MOCVD) 장비 구입을 위해 독일 반도체 장비회사 엑시트론에 두 자릿수로 장비를 발주하는 등 GaN 양산 준비에 박차를 가하고 있다. MOCVD는 금속유기원료를 기반으로 GaN 박막을 성장시키는 장비다. 삼성전자가 8인치 GaN 전력반도체에 이어 SiC 전력반도체 사업까지 공식화하면 차세대 전력반도체 시장 입지 강화된다. 삼성은 4인치나 6인치 웨이퍼를 사용하는 경쟁사들과 달리 8인치로 직행, 차별화를 시도하겠다는 전략이다. SiC와 GaN 모두 고전압·고온에 강한 차세대 반도체로 분류된다. 물성에 따라 SiC는 전기차와 에너지저장시스템(ESS)·태양광, GaN은 충전기·통신장비·서버에 특화된 전력반도체 소재로 평가되고 있다.

업계 다른 관계자는 “SiC 웨이퍼가 GaN 대비 구현하기에 어려움이 있는 만큼 선도 사업자와 기술 격차 해소, 차별화, 시장성 여부 등이 사업화의 관건이 될 것”이라고 내다봤다

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에너지저장시스템 (ESS : Energy Storage System): 전력이 남아돌 때 쌓아뒀다가 부족할 때 쓰거나 필요한 곳에 보내 주는 체계

 

포스트를 마치며...

삼성전자가 현재 반도체 시장에서 또 다른 시도를 해보는 중이다. 만약 성공하게 된다면 엄청나게 회사에 대한 이익이 증가할 것으로 보인다. 점점 SK하이닉스가 HBM에 대한 입지를 다져가는 중에 삼성전자는 HBM 뿐만 아니라 전력반도체에 또한 투자를 진행하는 중으로 보인다. 만약 다른 경쟁사들과 달리 8인치로 웨이퍼를 생산하게 된다면 경쟁력이 굉장히 높아질 것으로 예상된다. 또한 독일의 엑시트론과 협약을 맺는 등 눈에 띄는 준비를 하는 중이다. 점점 HBM에 대한 이목이 집중되는 가운데 전력반도체에 대한 관심도 꾸준하게 필요해 보인다.

 

https://www.etnews.com/20231016000240

삼성전자, SiC 전력반도체 사업 키운다