공부4 PIM(Porocessing In Memory) 기존 방식폰 노이만 방식 : 메모리가 명령어 및 연산자의 저장을 담당하고 프로세서는 메모리에서 명령어 및 연산자를 가져와 연산을 수행 메모리에서 연산을 수행하려는 이유?1. AI 연산에서 메모리입/출력이 상당히 많은 응용이 생겨났고, 프로세서의 연산 속도를 메모리가 따라가지 못해 메모리 입/출력 속도 제한으로 인한 전체 AI 연산 성능 제약이 발생 2. 프로세서에서 연산을 하기 위해서는 데이터가 필요하고 이를 메모리에서 가져온 후 결과를 다시 기록해야 하는데, 프로세서와 메모리를 오가는 대역폭의 제약이 있어 전체적인 AI 연산이 느려짐 PIM의 방식1. Processing-near-memory· 실제 메모리 Chip 내부가 아닌 메모리 Package에 별도의 연산 장치를 넣고 필요 연산을 수행하는 개.. 2024. 11. 10. MUF 조사 동기 : 삼성전자에서 패키징에 MR-MUF를 고려중이라는 기사글에 관심이 생겼다. MUF란? - Molded UnderFill - 반도체 패키징 관련 기술 - 반도체에 수천개의 미세 구멍을 뚫어 위아래로 연결하는 TSV 공정 후 반도체 사이에 주입하는 재료 삼성전자의 MUF 방향 삼성전자: 비전도성 접착 필름(NCF) -> MUF TC-NCF란? : Thermal Compression Non-conductive Film (열압착 방식) 1.D램 칩 사이에 마치 샌드위치처럼 NCF라는 절연 필름을 덧댑니다. 2.일정 온도가 넘으면 이 필름이 녹으면서 범프 간 연결을 유도하고, 마치 본드처럼 두 개 칩이 고정될 수 있도록 하면서 칩 사이 공간도 메우게 된다(언더필·underfill이라고 합니다). 3... 2024. 3. 21. CMP & Wet Cleaning CMP - 웨이퍼 표면의 굴곡을 가다듬어 매끈하게 가다듬는 공정 - 요철이나 굴곡이 발생한 웨이퍼의 박막(Film) 표면을 화학적/기계적 요소를 통해 연마(Polishing)해 평탄화(Planarization)하는 공정 칩(Chip) 내 각각의 다른 높이를 갖는 부위가 패드와 접촉하면 서로 다른 압력을 받아 상대적으로 높게 솟은 부위가 높은 압력에 의해 먼저 연마되는 원리를 활용한다. 또한 웨이퍼 표면의 스크래치를 방지하고 공정 제어의 불안정성을 보완하기 위해, 슬러리(Slurry)라는 연마액을 접촉면에 분포한 상태에서 공정을 진행한다. 기술 고도화에 따른 선폭 감소로 인해, 포토공정 진행 시 웨이퍼 내 균일도가 기존보다 더 중요해지는 추세 Wet cleaning 공정 1.Pre-cleaning: 반도체.. 2024. 3. 17. 이전 1 2 다음
