기사요약
8인치 파운드리(반도체 수탁생산) DB하이텍이 최근 초고전압(UHV) 전력반도체 공정 기술을 업그레이드하며 사업을 본격화한다고 밝혔다. 이번 공정 기술 업그레이드를 통해 DB하이텍은 게이트 드라이버(Gate Driver) IC에서 칩 설계가 용이한 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있는 환경을 제공할 수 있게 됐다. 공정 활용이 기존 가전 분야에서 자동차·태양광 분야까지 확장될 것으로 기대된다.
초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 역할을 하는 게이트 드라이버 IC의 설계·제조를 지원한다. DB하이텍은 업계 최초로 시스템 에어컨 등의 고출력 컴프레서에 적용할 수 있고 넓은 여유 전압으로 설계가 용이한 900V급 레벨 시프터(Level-Shifter)를 제공한 바 있다.
게이트 드라이버 : 컨트롤러 IC에서 저전력 입력을 받아 IGBT 또는 전력 MOSFET과 같은 고전력 트랜지스터의 게이트에 대한 고전류 구동 입력을 생성하는 전력 증폭기
레벨 시프터 : 보드의 전압을 바꿀 때, 현재 사용 중인 Signal의 전압을 바꿔야 할 때도 있다. Signal 전압을 바꾼다.
갈바닉 절연 방식 : 전류 흐름을 방지하기 위해 전기 시스템의 기능 섹션을 절연하는 원리
포스트를 마치며...
초고전압 전력반도체는 고전압 및 고전류를 다루는 전력 전자 제품 및 시스템에서 사용되는 전자 소자이며 이를 통해 우리 가전제품에 적용하게 된다면 안정적인 동작과 전력손실을 줄일 수 있게 된다. 만약 DB하이텍에서 이 초고전압 전력반도체를 양산하게 되어 수출하게 된다면 큰 이익을 볼 수 있을 거라고 생각한다. 아직 해외에서도 초고전압 전력반도체의 사업 본격화한다는 기업은 찾아볼 수 없었다. 이를 통해 DB하이텍이 얼마나 새로운 반도체 시스템 기술에 집중하는지 알 수 있다.
https://n.news.naver.com/mnews/article/011/0004254244?rc=N&ntype=RANKING
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