기사요약
비투지는 차세대 '수직형 질화갈륨(GaN) 전력 반도체' 개발에 도전하며, 이를 위해 GaN 웨이퍼에 바로 GaN을 쌓는 새로운 방식을 채택했습니다. 이는 전력 반도체의 성능을 향상시키고 칩의 크기를 줄이는데 기여할 것으로 보입니다. 신영훈 기술연구소장은 이 기술로 1000볼트급 수직형 GaN 다이오드를 확보했다고 밝혔으며, 전기차 및 다양한 산업 분야에 적용할 예정입니다. 비투지는 국내외 여러 연구기관과 협력하고 있으며, 부산 기장 산업단지에 전력 반도체 생산 거점을 구축 중입니다.
포스트를 마치며...
이러한 기술 혁신은 전력 반도체 산업에 새로운 돌파구를 제공할 것으로 보입니다. GaN 기반의 수직형 전력 반도체는 효율성과 성능 면에서 중요한 진보를 의미하며, 특히 전기차와 같은 고성능 전력 시스템에서 그 중요성이 더욱 강조됩니다. 비투지의 이러한 연구와 개발 노력은 반도체 산업의 지속적인 발전을 위한 필수적인 단계이며, 향후 이 기술이 상용화되면 여러 산업 분야에 큰 영향을 미칠 것으로 예상됩니다
https://n.news.naver.com/mnews/article/030/0003158568?rc=N&ntype=RANKING
[소부장 테크페어]비투지, 전력·전류 성능 개선한 '수직형 GaN 전력 반도체' 도전...“전기차 시장
비투지가 '수직형 질화갈륨(GaN) 전력 반도체' 개발에 도전한다. 기존 실리콘이나 사파이어 웨이퍼에 GaN을 올렸던 것과 달리, GaN과 GaN을 직접 쌓아 전력 반도체 성능을 한층 더 끌어올릴 계획이다
n.news.naver.com
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