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KLA 기업 분석

Norwegian Wood — Sun, 2 Feb 2025 21:29:37 +0900

기업 소개

· Keep Looking Ahead의 약자이다.

· 미국 캘리포니아주에 본사를 두고 있는 KLA는 반도체 및 관련 마이크로 일렉트로닉스 분야를 위한 공정관리 및 수율관리 솔루션을 제공하는 선도적인 기업

· 계측 장비에 대한 서비스와 판매를 진행함

계측 분야

Chip Manufacturing

· 고급 로직 및 메모리(3D NAND, DRAM, MRAM 등), 전력 장치, RF 통신 장치, LED, 포토닉스, MEMS

· 실리콘 및 화합물 반도체 장치 기술 모두에 대해 칩 제조 공정 전반에 걸쳐 사용되는 결함 검사, 결함 검토, 계측, 현장 공정 모니터링, 화학 공정 제어, 소프트웨어 솔루션, 식각 및 증착 공정 솔루션제공

Wafer Manufacturing

· 제조업체가 웨이퍼 제조 공정 전반에 걸쳐 품질을 관리하는 데 도움이 되는 결함 검사 및 검토, 계측 및 데이터 관리 시스템

· KLA의 웨이퍼 제조 시스템은 실리콘, 프라임 실리콘, SOI, 사파이어, 유리, GaAs, SiC, GaN, InP, GaSb, Ge, LiTaO3, LiNBO3 및 에피택셜웨이퍼를 포함한 광범위한 기판 유형 및 크기의 공정 개발, 생산 모니터링 및 최종 품질 검사를 지원

Reticle Manufacturing

· 레티클검사, 계측 및 데이터 분석 시스템은블랭크, 레티클및 IC 제조업체가 레티클결함과 패턴 배치 오류를 식별하여 수율위험을 줄이는 데 도움

Packaging Manufacturing

· 패키징 검사, 계측, 다이 분류, 화학 프로세스 제어, 현장 프로세스 관리 및 데이터 분석을 통해 품질 표준을 충족하고 생산 전 수율을 높이는 데 중점

PCB 및 IC 기판 제조

· 인쇄 회로 기판(PCB) 및 집적 회로 기판(ICS) 제조

· 제조업체는 패터닝및 솔더마스크, 자동 광학 검사(AOI), 자동 광학 성형(AOS), UV 레이저 드릴링, 잉크젯 및 첨가제 인쇄, 화학 공정 제어를 위한 KLA의 포괄적인 직접 이미징 포트폴리오를 사용하여 제조 공정 전반에 걸쳐 수율과 신뢰성을 관리할 수 있습니다.

KLA의 최신 특허 (금속화 용액의 붕산 분석 및 공정 제어 방법)

· 처리 용액(processing solution) 중의 붕산 농도를 선택적으로 측정하고 모니터링하기 위한 기술이 제공된다.

· 방법은 가수분해된 이온과 반응하는 착화제(complexing agent), 예를 들어, 에틸렌디아민테트라아세트(EDTA) 산염을전위차 적정에 사용하는 것을 포함한다.

· 이와 같은 방법으로, 처리 용액 중의 붕산 농도가 정확하게 측정되고 모니터링될 수 있다.

적정 비교

· 가수분해된 이온(예를 들어, Fe)이 존재한다면, 복합제의 존재 시에만 피크가 검출가능하다. 그림은 경사도 대 적정제첨가 용적(mL)에 있어서의 붕산 농도의 결과를 제공한다.

TEL(Tokyo Electron) 기업 분석

Norwegian Wood — Tue, 21 Jan 2025 14:33:17 +0900

기업 소개

· Tokyo Electron

· 일본의 반도체 장비 제조사

공정 장비

· Etching, Coater/Developer, Deposition, Cleaning, Prober 등 전공정, 후공정에 관여하는 장비를 생산한다.

매출 비중

· 매출 비중 : 에칭(32%) > 코터/디벨로퍼(30%) > 증착(21%) > 세정(12%) > 프로버(3%)

· Dry 에칭– 세계 점유율 22% (1위 램리서치, AMAT과 2~3위 경쟁)

· 코터/디벨로퍼– 점유율 90%로 독점

· 증착 – 점유율 31%

· 세정 – 점유율 22%

· 프로버–점유율 34%

Track 공정

· TEL의 장비들은 Track 공정에 굉장히 중요한 영향을 미침

· Track은 PR도포, Develop, 열처리(Bake), 냉각 등이 이루어지는 장비

· 3개의 bake 공정을 진행하는 Hot & Cold plate

· 기판과 PR과의 접착성을 올려주는 HMDS vapor system

· PR을 웨이퍼에 도포시키는 PR spin coater system

· 노광 후 원치 않는 PR은 제거해주는 Spray Develop System 등으로 구성

Coater (코팅기)

· PR과 관련해서 트랙공정이라는 용어가 자주 나오는데 트랙공정 중 주된 설비가 Coater

· 주로 PR 박막 제조시 많이 쓰이는 공정으로 액상의 물질을 웨이퍼 위에 떨어뜨린 후 웨이퍼를 빠르게 회전시켜 균일한 박막을 만들때 쓰이는 장비

극저온 식각 장비

• TEL 차세대 식각 장비의 가장 큰 특징은 극저온에서 고속으로 식각이 진행된다는 점이다. TEL은 지난해 6월 차세대 식각 장비 관련 논문을 통해 33분 만에 10마이크로미터(㎛)식각이 가능하다고 설명한 바 있다.

• 극저온에서 식각이 진행되는 만큼, 신규 소재 개발도 이뤄지고 있다. 차세대 식각장비에는 아르곤 가스와 불화탄소(CF) 계열 가스, 그리고 새로운 레시피의 가스가 사용된다.

DB하이텍 기업 분석

Norwegian Wood — Fri, 10 Jan 2025 11:44:14 +0900

기업 소개

· DB하이텍은 0.35um ~ 90nm에 이르는 첨단 제조 공정 기술을 바탕으로 시스템 반도체를 생산하는 시스템 반도체 전문 기업

· 대한민국의 종합 반도체 회사(IBM)

기업 제품

· Analog/Power(BCDMOS)

· CMOS Image Sensor, Mixed Signal 공정 -> 고부가가치 특화 제품

· SiC, GaN, IGBT, RF HRS/SOI CMOS 등의 신규 사업

BCDMOS란?

•BCDMOS : Bipolar CMOS DMOS

•3가지 구조를 하나의 프로세스에 집적하는 공정 기술(아날로그 회로, 로직회로, 고전압소자가 하나의 칩에서 구현)

•DB하이텍이 BCD를 파운드리 사업으로

•BCD 테크에 대해서 소자를 라인업시킴(다양한 전압을 가진 제품 군의 공정을 만들어준다)

•SJ(superjunction)은 discrete소자 => 한가지 프로세스를 마련 (Discrete소자 = 단일 소자)

•50개 ~ 수백 개의 소자를 한 개의 프로세스로 구현 가능

개발 방향

· High Voltage, Low Power가 중요

· High Voltage를 커버하는 기술 – SJ와 IGBT의 개발

DMOS를 SJ or IGBT로 대체하는 방향인가?

· Motor Driver IC : LDMOS에서 IGBT로 이동하고 있지만 100% 대체는 불가능하다.

· 이유 : BCD 기술 자체는 여러 소자가 집적되어 Chip을 구성하도록 설계되어 있지만 SJ, IGBT는 vertical 소자가 수직으로 형성되어 있기 때문에 타 소자와 집적하여 설계하기에 어려움이 존재한다.

PCM (=Process Control Monitoring)

·파운드리에서 고객에게 의뢰를 받고 결과를 주기 전 검정하는 단계

· 고객이 선택한 소자들의 패턴을 측정해서 데이터를 측정하고 데이터를 통해 공정이 잘 진행되었는지 공정에 오류가 없었는지 모니터링 가능

· 소자 단위로 검증한다는 특징이 있다.

PIM(Porocessing In Memory)

Norwegian Wood — Sun, 10 Nov 2024 22:35:58 +0900

기존 방식

폰 노이만 방식 : 메모리가 명령어 및 연산자의 저장을 담당하고 프로세서는 메모리에서 명령어 및 연산자를 가져와 연산을 수행

https://m.edaily.co.kr/News/Read?newsId=01131606638988960&mediaCodeNo=257

메모리에서 연산을 수행하려는 이유?

1. AI 연산에서 메모리입/출력이 상당히 많은 응용이 생겨났고, 프로세서의 연산 속도를 메모리가 따라가지 못해 메모리 입/출력 속도 제한으로 인한 전체 AI 연산 성능 제약이 발생

2. 프로세서에서 연산을 하기 위해서는 데이터가 필요하고 이를 메모리에서 가져온 후 결과를 다시 기록해야 하는데, 프로세서와 메모리를 오가는 대역폭의 제약이 있어 전체적인 AI 연산이 느려짐

PIM의 방식

1. Processing-near-memory

· 실제 메모리 Chip 내부가 아닌 메모리 Package에 별도의 연산 장치를 넣고 필요 연산을 수행하는 개념

장점 :

- DRAM 칩 원가 절감 (공통 칩 사용)

- 다양한 응용 분야에 맞춤형 연산 기능 제공

- 향상된 성능 및 에너지 효율

단점 :

1. 칩 크기 증가 및 복잡성 증가

2. 추가적인 비용 발생

Chip 외부에 연산 Logic을 다시 추가하는 이유

· DRAM Chip에 연산 Logic을 추가 → Chip size가 커짐 → 원가가 높아짐 → 수익성 악화

2. Processing-in-chip

· 데이터가 저장된 DRAM Cell 근처에 연산을 수행하는 Logic을 포함하는 방식

장점 :

1. 데이터 입출력과 동시에 연산 수행 가능

2. Processing-near-memory보다 훨씬 효율적

단점 :

1. DRAM 칩 내에 연산 로직 추가로 인한 비용 증가

2. 필수적인 연산 선정에 대한 고민 필요

3. 상용화 속도가 Processing-near-memory보다 느림

구분	Processing-near-Memory (P-NVM)	Processing-in-Chip (P-in-Chip)
정의	메모리 근처에 처리 장치를 배치하여 데이터 이동 거리를 줄이는 컴퓨팅 패러다임	칩 내에 처리 장치와 메모리를 통합하는 컴퓨팅 패러다임
핵심 목표	메모리 접근 지연 시간 감소, 에너지 효율 향상	칩 면적 및 전력 소비 감소, 성능 향상
주요 장점	-높은 메모리 대역폭 및 에너지 효율	-칩 면적 및 전력 소비 감소
주요 단점	-낮은 메모리 접근 지연 시간	-높은 처리 성능 및 병렬 처리 능력

(20241116) 트럼프 대선이 반도체 시장에 미치는 영향

Norwegian Wood — Wed, 6 Nov 2024 22:10:44 +0900

https://www.bbc.com/korean/articles/cwy9k9zz807o

이번 미국 대선 총선에서 카멀라 해리스를 제치고 도널드 트럼프 대통령이 당선되었다.

트럼프 대통령이 대한민국 반도체 시장에 미치는 영향은 어떻게 될까?

대선 전 트럼프 대통령의 대만 관련 한 마디에 하이닉스와 TSMC의 주가가 떨어진 것을 확인할 수 있다.

https://www.hani.co.kr/arti/economy/finance/1149509.html

먼저 트럼프 대통령은 TSMC와 미국 외의 반도체 기업에 좋지 않은 인식을 가지고 있는 것을 확인할 수 있다.

트럼프가 대선에 성공시 아래 4가지에 대해 생각해봐야 한다.

1. 트럼프의 대선 공약 중 Make America again

2. 미국 우선주의로 자국 내 생산 및 수출을 목표로 하고 있다.

3. 미국 외 다른 나라에 보편적 관세 10% 중국산 제품에 관세 60%

4. 칩4 동맹 (미국, 한국, 일본, 대만)

위 4가지를 선정할 수 있다.

저 당시 2024.07.17일

ASML 10.93%

NVIDA 6.64%

SK hynix 3.63%

TSMC 8%

한미 반도체 3.70%

AMD 10.21%

의 주가하락이 존재하였다.

이번 트럼프 대선 당선 결과 우리는 '칩스법'에 집중을 해야한다.

칩스법이란?

반도체 칩과 과학법(CHIPS and Science Act of 2022)으로, '미국 반도체 지원법'으로도 불린다.
조 바이든 대통령의 미국의 반도체 산업 발전을 위해 만든 법으로 미국에 반도체 시설을 지은 업체는 30억 달러의 보조금을 받게 된다. 하지만 향후 10년 간 중국에 반도체 시설에 투자하는 것이 금지된다.

당시 미국 공화당 대선 후보인 도널드 트럼프 전 대통령은 최근 칩스법에 대한 비판을 쏟아내며 재집권 시 이 법안의 축소 혹은 폐지 의지를 밝혔다.

따라서 이번 도널드 트럼프 대통령의 당선으로 인해 대한민국 반도체 산업에 안 좋은 영향이 미칠 수 있다는 점을 생각하고 있어야 한다.

MUF

Norwegian Wood — Thu, 21 Mar 2024 20:40:23 +0900

조사 동기 : 삼성전자에서 패키징에 MR-MUF를 고려중이라는 기사글에 관심이 생겼다.

MUF란?

- Molded UnderFill

- 반도체 패키징 관련 기술

- 반도체에 수천개의 미세 구멍을 뚫어 위아래로 연결하는 TSV 공정 후 반도체 사이에 주입하는 재료

삼성전자의 MUF 방향

삼성전자: 비전도성 접착 필름(NCF) -> MUF

TC-NCF란?

: Thermal Compression Non-conductive Film (열압착 방식)

1.D램 칩 사이에 마치 샌드위치처럼 NCF라는 절연 필름을 덧댑니다.

2.일정 온도가 넘으면 이 필름이 녹으면서 범프 간 연결을 유도하고, 마치 본드처럼 두 개 칩이 고정될 수 있도록 하면서 칩 사이 공간도 메우게 된다(언더필·underfill이라고 합니다).

3.절연 필름은 범프와 배선 외 전기 흐름을 통제하는 절연체 역할도 한다. NCF에는 통상 접착제 소재로 많이 쓰이는 에폭시와 함께 아크릴 등 소재가 섞여있다.

TC-Bonding

MR-MUF

: 다수의 칩을 적층할 때 한번에 포장하는 기술

MR – MASS REFLOW

- 수직 적층된 칩과 회로를 연결하는데, 각 칩의 통로 아래에는 가교 역할을 하는 마이크로 범프가 붙음

- 범프의 납 소재가 녹으면서 위아래 칩의 통로가 연결되는 것이다. 이때 모든 범프를 한번에 녹여 칩을 잇는데, 이를 리플로우(Reflow)라고 한다. 대량의 범프를 녹인다는 의미에서 앞에 매스(Mass)

MUF - Molded UnderFill

- 칩을 보호하기 위해 칩 사이와 칩 주변 등 외부에 보호재를 씌우는 공정 기술

- 보호재로 칩 사이를 채우는 작업을 언더필(UnderFill), 칩을 감싸는 작업을 몰딩(Molding)

TC본딩과 MUF의 차이점

TC 본딩 : NCF라는 필름을 중간에 끼워서 열과 압력으로 ‘샌드위치’ 시키는 방법

MUF : 칩을 일단 MR 방식으로 납땜을 하고 나서 칩 사이사이의 간극을 액체(실리카·에폭시 알갱이로 구성된 소재)로 채우면서 단단하게 굳히는 '언더필' 작업과 동시에 이 칩을 보호하는 일종의 껍데기 마감 작업인 '몰딩'을 동시에 하는 방법이다.

CMP & Wet Cleaning

Norwegian Wood — Sun, 17 Mar 2024 18:48:43 +0900

CMP

- 웨이퍼 표면의 굴곡을 가다듬어 매끈하게 가다듬는 공정

- 요철이나 굴곡이 발생한 웨이퍼의 박막(Film) 표면을 화학적/기계적 요소를 통해 연마(Polishing)해 평탄화(Planarization)하는 공정

칩(Chip) 내 각각의 다른 높이를 갖는 부위가 패드와 접촉하면 서로 다른 압력을 받아 상대적으로 높게 솟은 부위가 높은 압력에 의해 먼저 연마되는 원리를 활용한다.

또한 웨이퍼 표면의 스크래치를 방지하고 공정 제어의 불안정성을 보완하기 위해, 슬러리(Slurry)라는 연마액을 접촉면에 분포한 상태에서 공정을 진행한다.

기술 고도화에 따른 선폭 감소로 인해,

포토공정 진행 시 웨이퍼 내

균일도가 기존보다 더 중요해지는 추세

Wet cleaning 공정

1.Pre-cleaning: 반도체 위에 묻은 불순물을 제거하기 위해 전처리 단계가 수행됩니다. 이 단계에서는 알칼리성 용액이나 산성 용액을 사용하여 표면 오염물을 제거합니다.

2.Main Cleaning: 메인 세척 단계에서는 DI Water와 함께 화학적인 세정 용액이 사용됩니다. 이 용액은 반도체 표면의 노관계 물질, 이온, 기름 등을 제거하여 깨끗한 상태로 만듭니다.

3.Rinse: 메인 세척 후에는 DI Water를 사용하여 반도체 표면을 철저히 헹구어 줍니다. 이 단계는 이전 단계에서 사용된 세척 용액을 제거하고 반도체 표면을 완전히 깨끗하게 유지하는 역할을 합니다.

4.Drying: 마지막으로, 반도체를 완전히 건조시켜야 합니다. 일반적으로 고순도 진공 환경 또는 고온 환경에서 건조가 이루어집니다.

Batch

Batch 방식은 일괄적으로 반도체를 처리하는 방법입니다. 이 방식에서는 여러 개의 반도체를 한 번에 세척 용액에 담아 처리하는데, 대표적인 예로 세척 탱크나 세척 용기를 사용하는 방법이 있습니다. 반도체가 세척 용액에 잠긴 상태에서 세척이 이루어지며, 일정 시간 동안 반도체를 용액에 노출시킴으로써 세척이 진행됩니다. 이후 필요한 헹굼과 건조 단계가 이어집니다.

Spray

Spray 방식은 세척 용액을 분사하여 반도체 표면을 세척하는 방법입니다. 이 방식에서는 세척 용액을 스프레이 장치를 통해 반도체 표면에 고압으로 분사합니다. 분사된 세척 용액은 반도체 표면을 효과적으로 세척하고 불순물을 제거합니다. Spray 방식은 일반적으로 반도체 표면의 작은 구멍이나 복잡한 패턴을 가진 구조에 대해서도 효과적으로 세척할 수 있는 장점이 있습니다.

Rinse

•메인 세척 후에는 DI Water를 사용하여 반도체 표면을 철저히 헹구어 줍니다. 이 단계는 이전 단계에서 사용된 세척 용액을 제거하고 반도체 표면을 완전히 깨끗하게 유지하는 역할을 합니다.

KCTECH 기업 분석

Norwegian Wood — Sun, 17 Mar 2024 18:44:53 +0900

KC의 기업들

기업 소개

•주식회사 KC에서 분할된 회사이다.

•반도체 장비 제품으로는 CMP, Wet Cleaning System이 있으며, 디스플레이장비는 Wet Station, APP, CO2 Cleaner, Coater가 있습니다. 그리고 소재는 Ceria Slurry, Silica Slurry, Zirconia, Hollow Silica가 있습니다

제품 실적

- 반도체 장비의 매출 비율이 75.7%로 매출의 대부분을 담당한다.

반도체 장비

- CMP : Wafer를 화학적 반응과 기계적 힘을 이용하여 평탄하게 연마

- Wet Cleaning System : Wafer상의 불순물 제거

디스플레이 장비

- Wet Station : LCD, LTPS, OLED, Flexible 등 Display 제조에서 액체를 이용하여 Cleaning, Etching, Stripping, Developing 등의 공정을 통해 패턴을 형성하고 최종 결과물을 만드는 장비의 통칭

- APP : 기판 표면의 유기물을 제거하고 활성화하여 Wet 공정의 효율을 증가시키거나 접착성을 향상시키는 건식 Module

- CO2 Cleaner : 저온의 드라이아이스 스노우 입자를 노즐을 통해 고속으로 분사하여 기판 표면의 오염물을 건식으로 제거, 세정이 가능한 친환경적인 세정 Module

- Coater : LCD, LTPS, OLED, Flexible Display 제조라인에서 기판에 PR 및 Coating Material을 균일하게 도포하는 장비

소재

- Ceria Slurry : 반도체 CMP공정에 사용되어 80nm~300nm입자와 초순수 및 Chemical이 혼합되어 만들어진 현탁액으로 연마대상의 막질을 화학적, 기계적으로 연마하는 역할

- Silica Slurry : CMP공정 중 Metal Contact / Plug & Poly 공정에 사용되는 Slurry 로서, Colloidal Silica와 기능성 Chemical을 DIW에 혼합하여 사용하는 현탁액

- Zirconia : 광학분야에 사용되며 디스플레이의 휘도, 굴절률 등 광특성 향상을 위해 광학필름과 고굴절 렌즈에 응용

- Hollow Silica : 저굴절, 저유전, 단열 특성을 바탕으로 Anti Glare, Low Reflection, Anti Reflection, FPCB기판, 단열필름 등에 응용

PSK HOLDINGS 기업 분석

Norwegian Wood — Thu, 28 Dec 2023 19:06:49 +0900

기업소개

반도체장비(패키징 장비)의 제조와 판매를 담당하는 회사이다.

제품실적

PSK와는 다르게 반도체 장비를 판매함으로써 얻는 매출이 83.7%에 해당하며 부품 및 용역에 비하여 훨씬 큰 값을 가진다.

제품

Descum 장비

리소그래피 공정 후의 감광액 잔류(scum)을 제거하는 공정으로, 반도체 패키징의 RDL profile과 bump 모양에 중요한 영향을 준다

reflow 장비

반도체 칩을 기판 위에 탑재하여 전기적 신호를 연결하여 주거나 전기적 연결 돌출부를 만들기 위해 웨이퍼에 형성한 solder bump 또는 solder ball을 용융시키는 bump reflow 공정에 사용되는 장비

HDW 가열장비

실리콘 웨이퍼, 액정유리 기판, 하드디스크 기판 등의 세정에 사용되는 초순수(DI Water)를 할로겐 램프로 가열장비

https://www.pskholding.com/index.php

PSKH

pskholding.com

https://dart.fss.or.kr/dsaf001/main.do?rcpNo=20231114001618

피에스케이홀딩스/분기보고서/2023.11.14

잠시만 기다려주세요.

dart.fss.or.kr

(20231222) IT조선 - HBM서 자존심 구긴 삼성, 차세대 메모리 기술 'CXL' 선점 속도

Norwegian Wood — Fri, 22 Dec 2023 01:41:46 +0900

삼성전자 화성캠퍼스 / 삼성전자 출처 : IT조선(https://it.chosun.com)

기사 요약

삼성전자가 HBM 시장의 경쟁에 이어 차세대 메모리 기술인 CXL(Compute Express Link)에 주력하고 있으며, 확장성이 뛰어난 이 기술로 2022년과 2023년에 각각 CXL 1.1 및 2.0 기반 D램을 개발했다. 삼성은 CXL 관련 상표를 출원하고 2028년까지 150억 달러 규모로 성장할 것으로 예상되는 글로벌 CXL 시장에 대응하여, 인텔과 협력해 메모리 기술의 미래 생태계 구축에 박차를 가하고 있다.

포스트를 마치며...

CXL과 같은 차세대 메모리 기술에 대한 그들의 투자와 개발 노력은, 빠르게 변화하는 기술 시장에서 경쟁력을 유지하고자 하는 강한 의지를 표출한다. 특히, 전통적인 메모리 솔루션의 한계를 극복하고자 하는 삼성전자의 노력은, 미래의 데이터 중심 환경에서 그들의 선도적인 위치를 강화할 것으로 보인다. 이러한 발전은 기술 산업의 지속적인 진화와 그 안에서의 경쟁적인 동반 성장을 상징하는 사례로, 기술과 비즈니스의 결합이 어떻게 미래 지향적인 혁신을 이끌어내는지를 잘 보여진다.

https://it.chosun.com/news/articleView.html?idxno=2023092106876

HBM서 자존심 구긴 삼성, 차세대 메모리 기술 'CXL' 선점 속도

삼성전자가 본격적인 AI 시대 개막에 앞서 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 개발에 속도를 낸다. HBM 시장에서 SK하이닉스에 밀려 주춤한 만큼 CXL 기술에선 발빠르게 시장을 선점해 초격차 전략을 이어

it.chosun.com